微流控芯片的光刻工艺流程，大家快点进来看看

　　微流控芯片分析以芯片为操作平台, 同时以分析化学为基础,以微机电加工技术为依托,以微管道网络为结构特征,以生命科学为主要应用对象，是微全分析系统领域的发展重点。其目标是将整个实验室的功能，包括采样、稀释、试剂添加、反应、分离、检测等集成在微芯片上，并且可以多次使用。它是一个高度集成的芯片平台，具有低材料消耗、运行时间短、价格低廉、使用安全、高通量、低污染等特点，在微技术领域形成了固有优势。

　　微流控芯片特征主要是其容纳流体的有效结构（通道、反应室和其它某些功能部件）至少在一个纬度上为微米级尺度。由于微米级的结构，流体在其中显示和产生了与宏观尺度不同的性能。因此发展出分析产生的性能。

　　微流控芯片的光刻工艺流程如下：

　　1.仔细清洗基板；

　　2.在干净的基片表面镀上一层阻挡层，例如铬、二氧化硅、氮化硅等；

　　3.再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关，并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比；

　　4.在光掩模上准备所需的通道图案。光掩模覆盖在衬底上，用紫外光照射涂覆有光刻胶的衬底，光刻胶产生光化学反应；

　　5.用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上；

　　6.烘干后，利用未曝光光致抗蚀剂的保护，通过化学蚀刻在阻挡层上的负膜上精确蚀刻平面二维图形。